IGBT

新一代(TrenchFSII)IGBT系列產(chǎn)品，基于溝槽電場截止型IGBT技術(shù)(TrenchFieldStop)理論，進(jìn)一步優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，采用了先進(jìn)超薄片工藝制程(UltraThinWaferProcess)，大幅提高了器件的功率密度，顯著改善了動態(tài)、靜態(tài)性能。相比上一代(TrenchFS)IGBT，新一代(TrenchFSII)IGBT芯片面積更小，芯片厚度更薄;導(dǎo)通壓降(VCEsat)降低約0.3V，開關(guān)損耗降低20%以上;器件可耐工作溫度更高，使用壽命更長;且維持了較強的短路能力、較高的參數(shù)一致性;綜合性能達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。

針對不同的應(yīng)用需求，推出了完善的IGBT產(chǎn)品系列，確保在特定應(yīng)用中，器件保持最佳工作狀態(tài)，助您實現(xiàn)最理想的整機效率。

對于焊接、太陽能、UPS、電機驅(qū)動和家用電器等硬開關(guān)應(yīng)用，推出了低速(<20KHZ)和高速系列(<60KHZ)產(chǎn)品系列，提供各種封裝形式，方便用戶靈活設(shè)計。

對于感應(yīng)加熱、太陽能等諧振開關(guān)應(yīng)用，推出了新一代1200V、1350V產(chǎn)品系列，具有高擊穿電壓、大通流容量等優(yōu)勢;與反并聯(lián)二極管或單片集成二極管合并封裝，方便應(yīng)用設(shè)計。

特點與優(yōu)勢：

- 低導(dǎo)通壓降(VCEsat)

- 低開關(guān)損耗(Ets)

- 短路能力10us

- 低電磁干擾

- 電參數(shù)重復(fù)性和一致性

- 高可靠性

- 高溫穩(wěn)定性

- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)