MOSFET

作為領(lǐng)先的MOSFET分立器件設(shè)計(jì)與供應(yīng)商，新潔能致力于推廣性能卓越、質(zhì)量穩(wěn)定并且極具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的全系列MOSFET產(chǎn)品。

作為領(lǐng)先的MOSFET分立器件設(shè)計(jì)與供應(yīng)商，新潔能致力于推廣性能卓越、質(zhì)量穩(wěn)定并且極具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的全系列MOSFET產(chǎn)品。我們?yōu)殡娐吩O(shè)計(jì)師們提供全面的產(chǎn)品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合最先進(jìn)的封裝技術(shù)，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專(zhuān)注于持續(xù)改進(jìn)MOSFET在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開(kāi)關(guān)過(guò)程中的抗沖擊雪崩耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理及電能轉(zhuǎn)換。

通過(guò)采用最先進(jìn)的溝槽柵工藝技術(shù)和電流通路布局結(jié)構(gòu)，新潔能MOSFET實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化，從而大幅度降低電流傳導(dǎo)過(guò)程中的導(dǎo)通損耗。同時(shí)，電流在芯片元胞當(dāng)中的流通會(huì)更加均勻穩(wěn)定;應(yīng)對(duì)于高頻率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用，我們?yōu)樵O(shè)計(jì)師們提供低開(kāi)關(guān)損耗的系列產(chǎn)品(產(chǎn)品名稱(chēng)后加標(biāo)C)，其有效降低了柵極電荷(Qg)，尤其是柵極漏極間的電荷(Qgd)，從而在快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中降低開(kāi)關(guān)功率損耗。通過(guò)采用這些先進(jìn)的技術(shù)手段，MOSFET的FOM(品質(zhì)因子(Qg*Rdson))得以實(shí)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。

應(yīng)對(duì)于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續(xù)流的應(yīng)用終端，我們的MOSFET著重優(yōu)化了BodyDiode，在提高和加快反向續(xù)流能力的同時(shí)，降低反向恢復(fù)過(guò)程中的峰值電流(Irm)和電壓(Vrm)。

新潔能結(jié)合最先進(jìn)的封裝技術(shù)將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形(產(chǎn)品名稱(chēng)后加標(biāo)H)，有效地增加了用戶(hù)在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。

特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

·低FOM(Rdson*Qg)

·高雪崩耐量，100%經(jīng)過(guò)EAS測(cè)試

·低反向恢復(fù)電荷(Qrr)，低反向恢復(fù)峰值電流(Irm)

·抗靜電能力(ESD)

·符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用：

·各類(lèi)鋰電池保護(hù)模塊

·手機(jī)、平板電腦等便攜式數(shù)碼產(chǎn)品電源管理

·LEDTV等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品電源